**產(chǎn)品型號(hào)：** SSM3J15F-VB
**絲印：** VB264K
**品牌：** VBsemi
**參數(shù)：**
- 封裝：SOT23
- 溝道類型：P—Channel
- 最大漏電壓（VDS）：-60V
- 最大漏電流（ID）：-0.5A
- 開通電阻（RDS(ON)）：3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：-1.87V
**應(yīng)用簡介：**
SSM3J15F-VB是一款P—Channel溝道的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，采用SOT23封裝。其主要特點(diǎn)包括最大漏電壓為-60V，最大漏電流為-0.5A，具有低開通電阻（RDS(ON)）等性能。該產(chǎn)品適用于需要負(fù)載開關(guān)的電路和模塊。
**適用領(lǐng)域和示例應(yīng)用：**
1. **電源管理模塊：** 由于SSM3J15F-VB具有較低的開通電阻和P—Channel溝道的特性，可在電源管理模塊中用作電源開關(guān)，提高整體電路的效率。
2. **電池保護(hù)回路：** 在需要對(duì)電池進(jìn)行過放電保護(hù)的應(yīng)用中，SSM3J15F-VB可以作為電池保護(hù)回路中的關(guān)鍵組件，確保電池的安全使用。
3. **低功耗電子設(shè)備：** 由于其低閾值電壓和低漏電流的特性，適用于一些對(duì)功耗要求較為嚴(yán)格的低功耗電子設(shè)備，如便攜式設(shè)備、傳感器模塊等。
總體而言，SSM3J15F-VB適用于需要P—Channel溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的電路和模塊，特別是在一些對(duì)功耗、效率和電源管理要求較高的領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。
