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深圳市宏源世紀科技有限公司

主要銷售觸摸芯片,DC-DC電源,微控制器單片機,存儲器,MOS場效應管,LED驅動產品。

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MICROCHIP/微芯 DSPIC33EP128MC506-I/PT TQFP-64 DSP/DSC收發器

型號: DSPIC33EP128MC506-I/PT

--- 產品參數 ---

  • 型號 DSPIC33EP128MC506-I/PT
  • 數量 2000
  • 封裝 TQFP-64
  • 品牌 MICROCHIP/微芯
  • 批次 最新批次

--- 產品詳情 ---

特點
CMOS=CMOS兼容輸入或輸出Analog=Analog input P=PowerST=Schmitt Trigger input with CMOS level O=output I=InputPPS=Peripheral Pin Select TTL=TTL input buffer注1:此引腳僅在dsPIC33EPXXXMC20X/50X和PIC24EPXXXMC20 X設備上可用。2:此引腳只在dsPIC33 EPXXXGP/MC 50X設備上使用。3:這是dsPIC33EP XXXMC20 X/50X與PIC24EPXXXXMC20 X設備重置時的默認故障。有關更多信息,請參閱第16.0節“高速PWM模塊(僅限dsPIC33EPXXXMC20X/50X和PIC24EPXXXXMC20X設備)”。4:并非所有引腳都適用于所有封裝變體。引腳可用性請參見“引腳圖”部分。5:當JTAG接口處于活動狀態時,TMS引腳上連接有一個內部上拉電阻器。參見表27-2中的JTAGEN位字段。

描述

電容器的值和類型:建議0.1μF(100 nF),10-20V。該電容器應當是低ESR并且具有在20MHz及更高范圍內的諧振頻率。建議使用陶瓷電容器。?在印刷電路板上的放置:去耦電容器應盡可能靠近引腳。建議將電容器放置在與設備同一側的板上。如果空間有限,可以使用過孔將電容器放置在PCB的另一層上;但是,確保引腳到電容器的跡線長度在四分之一英寸(6毫米)以內。?處理高頻噪聲:如果電路板遇到高于10 MHz的高頻噪聲,則在上述去耦電容器中添加第二個并聯的陶瓷型電容器。第二個電容器的值可以在0.01μF到0.001μF的范圍內。將第二個電容器放在主去耦電容器旁邊。在高速電路設計中,考慮盡可能增加電源和接地引腳的十年電容對。例如,0.1μF與0.001μF并聯。?最大限度地提高性能:在電源電路的板布局上,先將電源和回流跡線連接到去耦電容器,然后連接到設備引腳。這確保了去耦合電容器在功率鏈中處于第一位。同樣重要的是將電容器和電源引腳之間的跡線長度保持在最小值,從而降低PCB跡線電感。
 

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