TP0202K-T1-E3-VB是VBsemi品牌的P-Channel溝道場效應晶體管，采用SOT23封裝。以下是詳細參數和應用簡介：
- **參數說明:**
- 最大耐壓：-30V
- 最大漏極電流：-5.6A
- 開態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓（Vth）：-1V
- **應用簡介:**
- **電源管理：** 適用于低壓降、高效率的電源管理電路。
- **功率放大：** 可用于放大器和功率放大模塊。
- **開關電源：** 用于設計開關電源和DC-DC轉換器。
- **領域和模塊應用:**
- **電源模塊：** 由于其低漏極電阻和高耐壓特性，適用于電源模塊設計，提高效率。
- **驅動模塊：** 用于電機驅動和其他需要高效率功率放大的應用。
- **開關電源控制：** 在開關電源中用于實現穩定的電流和電壓控制。
TP0202K-T1-E3-VB適用于需要P-Channel MOSFET的各種應用領域，提供高性能和可靠性。
