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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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WNM2027-3-TR-VB一款N—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: WNM2027-3-TR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

**WNM2027-3-TR-VB 詳細參數說明與應用簡介:**

- **絲印:** VB1240
- **品牌:** VBsemi
- **參數:**
 - 封裝:SOT23
 - 溝道類型:N—Channel
 - 最大耐壓:20V
 - 最大電流:6A
 - 靜態導通電阻:24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
 - 閾值電壓:0.45~1V

**應用簡介:**
WNM2027-3-TR-VB 是一款 SOT23 封裝的 N-Channel 溝道場效應晶體管,具有 20V 的最大耐壓、低導通電阻等特性,適用于多種應用場景。以下是該產品可能的應用領域:

1. **電源管理模塊:** 由于其 N-Channel 特性和較低的導通電阻,WNM2027-3-TR-VB 可用于電源管理模塊,實現高效的電源開關控制。

2. **電流控制模塊:** 作為電流控制元件,適用于需要高效能電流控制的電路中,確保電流的準確調節。

3. **DC-DC 變換器:** 可應用于 DC-DC 變換器中,用于電能轉換與電壓調節,提高能量利用效率。

4. **電機驅動模塊:** 在電機驅動電路中,WNM2027-3-TR-VB 可用于控制電機的啟停和速度調節。

**使用注意事項:**
1. **電壓極性:** WNM2027-3-TR-VB 為 N-Channel 溝道晶體管,使用時需注意其負載開關的電壓極性。

2. **電流與功耗:** 在設計中需確保不超過 WNM2027-3-TR-VB 的最大電流和功耗,以避免過載損壞。

3. **封裝熱設計:** 在高功率應用中,需合理設計散熱方案,確保晶體管工作在安全的溫度范圍內。

4. **閾值電壓:** 在設計中應注意閾值電壓的范圍,確保在給定工作條件下能夠正常導通。

以上為 WNM2027-3-TR-VB 的基本參數、應用簡介以及使用注意事項,具體應用時需根據實際電路設計要求進行詳細驗證。

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