石英溫補振蕩器YSO510TP 26MHZ 1.8V -30~85℃ Clipped Sine Wave OW7ANUWTQ-26M

TCXO 晶體振蕩器有源晶振溫補晶振

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

YXC-YSO510TP-datesheet V2.0 (240131).pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

*可編程溫補晶振

*可兼容多種電壓(1.8V-3.3V)

*超高頻率晶振

*CMOS輸出

*高穩(wěn)定性(±2.5ppm)，抗震性強

*低抖動：1.5 ps typ.

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產(chǎn)品文章資料

Q MEMS石英溫補晶振YSO511PJ 100MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-100M2024-08-29 14:30

產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補振蕩器YSO511PJ 33.33MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-33.33M2024-08-29 14:28

產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補振蕩器YSO511PJ 40MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-40M2024-08-29 14:26

產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補振蕩器YSO511PJ 80MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-80M2024-08-29 14:23

產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
Q MEMS石英溫補振蕩器YSO511PJ 10MHZ 3.3V -40~85℃ CMOS OJ2EI-XFM-10M2024-08-29 14:20

產(chǎn)品型號：YSO511PJ 標稱頻率：10~250MHz 頻率誤差：±2.5ppm 工作溫度：-40~+85℃ 工作電壓：2.5/ 3.3V 封裝尺寸（mm）：3225/7050
表晶YSX146GA 32.768KHZ 6PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KID4GI2024-08-29 14:17

產(chǎn)品型號：YSX146GA 標稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 7PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KJD4GI2024-08-29 14:14

產(chǎn)品型號：YSX146GA 標稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 9PF ±20PPM -40~85℃ X701532768KLD4GI2024-08-28 10:06

產(chǎn)品型號：YSX146GA 標稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±10PPM -40~85℃ X701532768KGB4GI2024-08-28 09:59

產(chǎn)品型號：YSX146GA 標稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm）：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC
表晶YSX146GA 32.768KHZ 12.5PF ±20PPM -40~85℃ XKYGI-SUG-32.768K2024-08-28 09:56

產(chǎn)品型號：YSX146GA 標稱頻率：32.768 kHz 頻率誤差：±10ppm ±20ppm 工作溫度：-40℃~+85℃ 封裝尺寸（mm：7.0x1.5x1.4mm 品牌：YXC

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晶振的振蕩本質(zhì)上是一種機械振動（在壓電晶體層面）。當兩個晶振靠得很近時，它們的機械振動可能會相互影響。一個晶振的振動可能會通過電路板或者外殼等介質(zhì)傳遞給另一個晶振，從而改變另一個晶振的振動特性。

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