### 一、產品簡介

VBsemi的2SJ190-VB是一款P溝道MOSFET，適用于各種低壓、中壓和高壓應用。具有-60V的耐壓能力和-5A的電流承受能力，內部電阻（RDS(ON)）為58mΩ（@ VGS=10V）。采用SOT89-3封裝，適用于小型電路板應用。

### 二、詳細參數說明

- **型號：** 2SJ190-VB
- **絲印：** VBI2658
- **品牌：** VBsemi
- **溝道類型：** P溝道
- **最大耐壓：** -60V
- **最大電流：** -5A
- **內部電阻（RDS(ON)）：** 58mΩ @ VGS=10V
- **門極-源極閾值電壓（Vth）：** 1~3V
- **封裝：** SOT89-3

### 三、適用領域和模塊示例

1. **功率管理模塊：** 
  2SJ190-VB適用于功率管理模塊，如DC-DC轉換器和穩壓器。其高耐壓能力和低內部電阻可確保功率管理模塊的高效率和穩定性。

2. **逆變器模塊：** 
  作為P溝道MOSFET，2SJ190-VB可用于逆變器模塊，用于轉換直流電源為交流電源。適用于太陽能逆變器、電動汽車充電器等領域。

3. **開關電源模塊：** 
  在開關電源模塊中，2SJ190-VB可用作開關管以實現電源的開關控制。其高耐壓能力和低內部電阻可確保開關電源模塊的高效率和穩定性。

4. **電動汽車模塊：** 
  由于其耐壓能力和電流承受能力，2SJ190-VB可用于電動汽車模塊，如電池管理系統和驅動控制系統。確保電動汽車系統的安全性和可靠性。

5. **音頻放大器模塊：** 
  2SJ190-VB還可用于音頻放大器模塊，用作功率放大器的輸出級開關。其低內部電阻和穩定性能可確保音頻放大器的高保真度和穩定性。