--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT89-3封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
一、2SJ363-VB 產品簡介:
2SJ363-VB 是由品牌 VBsemi 生產的 P-Channel 溝道場效應晶體管。它采用 SOT89-3 封裝,具有負向柵極電壓(VGS)為 -30V、漏極電流(ID)為 -5.8A、導通電阻(RDS(ON))為 50mΩ@VGS=10V、閾值電壓(Vth)為 -0.6~-2V 等特性。該器件適用于各種領域和模塊,提供可靠的性能和穩定性。
二、2SJ363-VB 詳細參數說明:
- 電壓參數:負向柵極電壓(VGS)為 -30V
- 電流參數:漏極電流(ID)為 -5.8A
- 導通電阻:RDS(ON) = 50mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓:Vth 范圍為 -0.6~-2V
- 封裝:SOT89-3

三、應用示例:
1. 電源管理模塊:由于其負向柵極電壓和漏極電流的特性,2SJ363-VB 可以用于電源管理模塊中的開關電路,例如 DC-DC 變換器和電源開關。
2. 電池保護模塊:在需要對電池進行保護的電路中,2SJ363-VB 可以作為開關管,用于控制充放電過程,確保電池的安全性和穩定性。
3. 電機驅動模塊:在電機驅動電路中,該器件可以用作電機的控制開關,實現電機的啟停和速度調節功能。
這些示例說明了 2SJ363-VB 在電源管理、電池保護和電機驅動等領域的應用潛力。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK654R8-40C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:56
產品型號:BUK654R8-40C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R6-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:51
產品型號:BUK654R6-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK654R0-75C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:50
產品型號:BUK654R0-75C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R7-30C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:47
產品型號:BUK653R7-30C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK653R5-55C-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 16:35
產品型號:BUK653R5-55C-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N