--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT89-3封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**產品簡介:**
2SJ580-VB是VBsemi品牌的P-Channel溝道場效應晶體管,具有-60V的漏極-源極電壓,最大-5A的漏極電流,以及在VGS=10V時的58mΩ的導通電阻(RDS(ON))。其絲印為VBI2658,封裝為SOT89-3。
**詳細參數說明:**
- 最大漏極-源極電壓(VDS):-60V
- 最大漏極電流(ID):-5A
- 導通電阻(RDS(ON)):58mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓(Vth):1~3V
- 封裝類型:SOT89-3
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B5/58/wKgaomV6tXeAYkR_AAFX74kuw9g507.png)
**適用領域和模塊舉例:**
1. **電源管理模塊**:由于2SJ580-VB具有較高的漏極電壓和電流能力,可用于設計高效的開關電源和線性穩壓器,適用于各種電子設備和工業控制系統。
2. **電池保護模塊**:電池管理系統需要能夠控制充放電過程的器件,2SJ580-VB的性能使其成為電池保護電路的理想選擇,可應用于便攜式電子設備、電動車等領域。
3. **電機驅動模塊**:在電機驅動領域,2SJ580-VB可用于控制各種類型的電機,如直流電機、步進電機等,適用于工業自動化、機器人技術等領域。
4. **DC-DC轉換器模塊**:作為DC-DC轉換器的開關管,2SJ580-VB能夠提供高效的功率轉換,可用于通信設備、汽車電子等領域。
綜上所述,2SJ580-VB是一款高性能的P-Channel溝道場效應晶體管,適用于多種領域的功率控制和開關應用,為設計者提供了穩定可靠的解決方案。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N