1. 產(chǎn)品簡介：

2SK2614(Q)-VB 是 VBsemi 品牌推出的 N-Channel 溝道場效應晶體管。該器件的絲印為 VBE1638，封裝采用 TO252。它具有以下主要特性：工作電壓為 60V，最大漏極電流可達 45A，漏源電阻為 24mΩ（在 VGS=10V 時），且閾值電壓為 1.8V。

2. 詳細參數(shù)說明：

- 工作電壓（VDS）：60V
- 最大漏極電流（ID）：45A
- 漏源電阻（RDS(ON)）：24mΩ（在 VGS=10V 時）
- 閾值電壓（Vth）：1.8V
- 封裝類型：TO252

3. 適用領域和模塊示例：

2SK2614(Q)-VB 可以廣泛應用于以下領域和模塊：

- 電源管理：作為功率 MOSFET，適用于開關電源、電池充放電管理等場景。例如，用于電動車充電器的輸入端和輸出端電路。
- 電動車輛：可用于電動車輛的驅動控制，包括電機控制、電池管理和充電系統(tǒng)。例如，用于電動汽車的驅動逆變器和電池管理系統(tǒng)。
- 工業(yè)控制：在工業(yè)自動化系統(tǒng)中，可用于開關和調節(jié)高功率負載，如電機驅動和電爐控制。例如，用于機械設備的驅動模塊和溫度控制系統(tǒng)。
- LED 照明：適用于 LED 驅動電路，提供高效的電流調節(jié)和開關控制。例如，用于 LED 路燈和室內(nèi)照明系統(tǒng)的電源驅動模塊。

這些示例說明了 2SK2614(Q)-VB 在各種應用領域中的潛在用途，其高性能和可靠性使其成為許多電力控制和開關應用的理想選擇。