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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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FDD26AN06A0-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: FDD26AN06A0-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

一、產品簡介:
FDD26AN06A0-VB是VBsemi生產的N溝道場效應管,具有60V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大45A的電流。其特點包括低導通電阻(RDS(ON))為24mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時。門壓閾值(Vth)為1.8V。該器件采用TO252封裝,適用于各種應用場合。

二、詳細參數說明:
- 最大漏極-源極電壓(VDSS):60V
- 最大連續漏極電流(ID):45A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):24mΩ(在VGS=10V時)
- 端口-源極電壓(VGS):±20V
- 門壓閾值(Vth):1.8V

三、適用領域和模塊示例:
1. 電源管理模塊:由于其較高的漏極-源極電壓和電流承受能力,FDD26AN06A0-VB適用于電源開關模塊和電源管理系統中,用于實現高效率和高功率密度。
2. 電機驅動器:在電動工具、電動車輛和家用電器等領域中,該器件可用作電機驅動器的開關元件,幫助實現高效能的電動系統。
3. 自動控制系統:在工業自動化和機器人控制領域,FDD26AN06A0-VB可用于開關電路,控制電機和執行器的電流,以實現精準的運動控制和自動化功能。

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