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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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J190-VB一款P—Channel溝道SOT89-3的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: J190-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 SOT89-3封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

一、產品簡介:
J190-VB是一款P溝道場效應管,由品牌VBsemi生產。該器件具有-60V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大-5A的漏極電流。其導通狀態下的導通電阻(RDS(ON))為58mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時均為該數值,門源閾值電壓(Vth)為1~3V。該器件采用SOT89-3封裝。

二、詳細參數說明:
- 溝道類型:P溝道
- 額定漏極-源極電壓(VDS):-60V
- 最大漏極電流(ID):-5A
- 導通狀態下的導通電阻(RDS(ON)):58mΩ @ VGS=10V,VGS=20V
- 門源閾值電壓(Vth):1~3V
- 封裝類型:SOT89-3

三、適用領域和模塊示例:
1. **電源管理**:J190-VB適用于設計用于低功率電源管理的模塊,如電池管理系統、小型DC-DC轉換器等。其低漏極-源極電壓和漏極電流額定值適用于小功率設備的需求。
2. **移動設備**:在移動設備領域,這種器件可以用于設計手機充電管理模塊、便攜式充電器等,因為它能夠承受較低的電壓和電流,同時具有較低的導通電阻,能夠提高效率和性能。
3. **汽車電子**:J190-VB適用于汽車電子領域的小功率電子設備,如車載充電器、車內電源管理模塊等,因為它能夠提供足夠的電流和電壓,同時具有較低的導通電阻,提高了系統的穩定性和可靠性。

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