NTGS3130NT1G-VB
---
**產品簡介：**
NTGS3130NT1G-VB 是 VBsemi 公司推出的 N-Channel 溝道 MOSFET。該器件具有優秀的性能特征，包括 30V 的漏極-源極電壓承受能力，6A 的漏極電流能力以及低導通電阻 RDS(ON)（在 VGS=10V 時為 30mΩ）。封裝采用 SOT23-6，適用于各種緊湊型電路設計。

**詳細參數說明：**
- 溝道類型：N-Channel
- 最大漏極-源極電壓（VDS）：30V
- 最大漏極電流（ID）：6A
- 導通電阻 RDS(ON)：
 - 在 VGS=10V 時：30mΩ
- 門源極閾值電壓（Vth）：1.2V

**適用領域和模塊舉例：**
1. **移動設備模塊：** NTGS3130NT1G-VB 在移動設備中具有重要的應用。由于其小封裝和優秀的性能，它可以用于智能手機、平板電腦等移動設備中的電源管理、信號開關等模塊，提供高效的功率控制和信號處理功能。

2. **LED 照明模塊：** 在 LED 照明系統中，NTGS3130NT1G-VB 可以用于 LED 驅動電路、調光電路等。其低導通電阻和高電流承受能力確保了穩定的 LED 燈光輸出，并提供了靈活的亮度調節功能。

3. **便攜式電子產品模塊：** 由于其小封裝和優秀的性能，該器件適用于各種便攜式電子產品，如便攜式音頻設備、智能手表等。它可以用于電源管理、信號處理等模塊，提供穩定可靠的性能。

以上是 NTGS3130NT1G-VB 在一些常見領域和模塊中的應用示例，其小封裝、優秀的性能和穩定性使其在許多其他電子設備和模塊中也有著廣泛的應用前景。