P6803NAG-VB
---
**產品簡介：**
P6803NAG-VB 是 VBsemi 公司推出的具有 2 個 N+P-Channel 溝道的 MOSFET。該器件具有雙溝道結構，適用于正負電壓的應用場景。其特點包括 ±20V 的漏極-源極電壓承受能力，7A（正向）和-4.5A（反向）的漏極電流能力以及低導通電阻 RDS(ON)（在不同電壓下的值為 20mΩ / 70mΩ）。封裝采用 SOT23-6，適用于緊湊型電路設計。

**詳細參數說明：**
- 溝道類型：2 個 N+P-Channel
- 漏極-源極電壓（VDS）：±20V
- 漏極電流（ID）：
 - 正向（N-Channel）：7A
 - 反向（P-Channel）：-4.5A
- 導通電阻 RDS(ON)：
 - 在 VGS=4.5V 時（N-Channel）：20mΩ
 - 在 VGS=4.5V 時（P-Channel）：70mΩ
- 門源極閾值電壓（Vth）：
 - N-Channel：0.71V
 - P-Channel：-0.81V

**適用領域和模塊舉例：**
1. **電源管理模塊：** 由于其雙溝道結構和正負電壓特性，P6803NAG-VB 可以應用于電源管理電路中，如雙極性穩壓器、雙電源切換模塊等，提供靈活的電源管理功能。

2. **電流檢測模塊：** 該器件可以用于電流檢測模塊中，如電流傳感器、電流限制器等。其高電流承受能力和低導通電阻確保了準確的電流檢測和控制。

3. **馬達控制模塊：** 在馬達控制領域，P6803NAG-VB 可以用于馬達驅動電路、電流限制電路等。其雙溝道結構和高電流承受能力使其適用于各種類型的馬達控制應用。

以上是 P6803NAG-VB 在一些常見領域和模塊中的應用示例，其雙溝道結構和正負電壓特性使其在許多其他電子設備和模塊中也有著廣泛的應用前景。