--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個(gè)N+P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
P6803NAG-VB
---
**產(chǎn)品簡介:**
P6803NAG-VB 是 VBsemi 公司推出的具有 2 個(gè) N+P-Channel 溝道的 MOSFET。該器件具有雙溝道結(jié)構(gòu),適用于正負(fù)電壓的應(yīng)用場景。其特點(diǎn)包括 ±20V 的漏極-源極電壓承受能力,7A(正向)和-4.5A(反向)的漏極電流能力以及低導(dǎo)通電阻 RDS(ON)(在不同電壓下的值為 20mΩ / 70mΩ)。封裝采用 SOT23-6,適用于緊湊型電路設(shè)計(jì)。
**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 溝道類型:2 個(gè) N+P-Channel
- 漏極-源極電壓(VDS):±20V
- 漏極電流(ID):
- 正向(N-Channel):7A
- 反向(P-Channel):-4.5A
- 導(dǎo)通電阻 RDS(ON):
- 在 VGS=4.5V 時(shí)(N-Channel):20mΩ
- 在 VGS=4.5V 時(shí)(P-Channel):70mΩ
- 門源極閾值電壓(Vth):
- N-Channel:0.71V
- P-Channel:-0.81V
**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**
1. **電源管理模塊:** 由于其雙溝道結(jié)構(gòu)和正負(fù)電壓特性,P6803NAG-VB 可以應(yīng)用于電源管理電路中,如雙極性穩(wěn)壓器、雙電源切換模塊等,提供靈活的電源管理功能。
2. **電流檢測模塊:** 該器件可以用于電流檢測模塊中,如電流傳感器、電流限制器等。其高電流承受能力和低導(dǎo)通電阻確保了準(zhǔn)確的電流檢測和控制。
3. **馬達(dá)控制模塊:** 在馬達(dá)控制領(lǐng)域,P6803NAG-VB 可以用于馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路、電流限制電路等。其雙溝道結(jié)構(gòu)和高電流承受能力使其適用于各種類型的馬達(dá)控制應(yīng)用。
以上是 P6803NAG-VB 在一些常見領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用示例,其雙溝道結(jié)構(gòu)和正負(fù)電壓特性使其在許多其他電子設(shè)備和模塊中也有著廣泛的應(yīng)用前景。
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