--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個N+P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
以下是SI3585DV-T1-E3-VB的產品信息:
### 產品簡介
SI3585DV-T1-E3-VB是VBsemi品牌生產的雙路N+P—Channel溝道功率MOSFET,采用SOT23-6封裝。它集成了兩個N溝道MOSFET和一個P溝道MOSFET,具有雙向電流傳輸能力,適用于多種功率管理和開關電路設計。
### 詳細參數說明
- **電壓額定值 (VDS):** ±20V
- **N溝道電流額定值 (ID):** 7A
- **P溝道電流額定值 (ID):** -4.5A
- **N溝道導通電阻 (RDS(ON)):** 20mΩ @ VGS = 4.5V
- **P溝道導通電阻 (RDS(ON)):** 70mΩ @ VGS = 4.5V
- **閾值電壓 (Vth):** N溝道:0.71V,P溝道:-0.81V
- **最大柵極—源極電壓 (VGS(max)):** ±20V

### 應用領域和模塊舉例
1. **電源開關:** SI3585DV-T1-E3-VB可用于電源開關電路,實現高效率的電源管理和開關控制,在便攜式設備、電動車充電器和工業電源中得到廣泛應用。
2. **電池管理:** 適用于電池保護電路設計,SI3585DV-T1-E3-VB可用于鋰電池組件的過充、過放和短路保護,提高電池組件的安全性和可靠性。
3. **功率逆變器:** 在DC-AC逆變器和變頻器中,SI3585DV-T1-E3-VB可用于功率開關和輸出級控制,實現電能的變換和調節,適用于太陽能逆變器、電動汽車和UPS系統等領域。
4. **電機驅動:** 用于電機驅動器和電機控制模塊中,SI3585DV-T1-E3-VB可實現電機啟動、速度調節和制動控制,適用于工業自動化、家用電器和汽車電子等領域。
5. **信號開關:** 在信號開關和模擬開關電路中,SI3585DV-T1-E3-VB可用于信號選擇、通道切換和模擬信號處理,適用于通訊設備、音頻設備和測試儀器等領域。
綜上所述,SI3585DV-T1-E3-VB適用于各種需要雙路N+P—Channel溝道功率MOSFET的應用,包括電源開關、電池管理、功率逆變器、電機驅動和信號開關等領域。
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