**VBsemi N-Channel MOSFET SQD25N06-22L-GE3-VB**

- **絲印：** VBE1638
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
 - N—Channel溝道
 - 額定電壓：60V
 - 額定電流：45A
 - 導通電阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓（Vth）：1.8V
- **封裝：** TO252

**產品簡介：**

SQD25N06-22L-GE3-VB是VBsemi生產的一款N-Channel溝道的功率MOSFET。它具有高電壓、高電流和低導通電阻的特點，適用于各種功率控制和開關應用。

**詳細參數說明：**

1. **額定電壓（VDS）：** 該MOSFET的額定電壓為60V，適用于中等功率電路設計。

2. **額定電流（ID）：** 具有45A的額定電流，適用于需要大電流承載能力的應用。

3. **導通電阻（RDS(ON)）：** 在VGS=10V時，導通電阻為24mΩ，這有助于降低功率損耗，提高效率。

4. **閾值電壓（Vth）：** 閾值電壓為1.8V，使得器件易于控制和驅動。

**適用領域和模塊舉例：**

1. **電源逆變器：** 用于電動汽車、UPS系統和太陽能逆變器等高功率電源逆變應用中。

2. **電機驅動器：** 可用于電動工具、電動車輛和工業機械等電機驅動器中。

3. **電源開關：** 適用于開關電源、DC-DC轉換器和功率因數校正電路等功率控制模塊中。

SQD25N06-22L-GE3-VB的高電壓和高電流特性，以及低導通電阻，使其在各種功率應用中具有廣泛的應用前景。