--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252封裝
- 溝道 P—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### STU419A-VB 產品簡介
STU419A-VB是一款由VBsemi生產的高性能P溝道MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。該產品采用TO252封裝,具有出色的導通電阻和極限電壓特性,專為高效電源管理和負載開關應用設計。
### STU419A-VB 詳細參數說明
- **類型**: P溝道MOSFET
- **最大漏源電壓 (Vds)**: -40V
- **最大連續漏極電流 (Id)**: -65A
- **導通電阻 (Rds(on))**: 10mΩ @ Vgs = 10V
- **最大柵源電壓 (Vgs)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -1.6V
- **封裝類型**: TO252
- **品牌**: VBsemi
- **絲印代碼**: VBE2412
### STU419A-VB 應用領域和模塊
1. **電源管理**: STU419A-VB在電源管理模塊中具有廣泛應用,特別適用于DC-DC轉換器。其低導通電阻和高電流處理能力使其在高效率電源轉換中表現出色,能夠降低功率損耗,提高系統效率。
2. **電機驅動**: 由于其高電流承載能力和低導通電阻,STU419A-VB適用于電機驅動電路。它可以有效控制電機的啟動和停止,提供平穩的電流輸出,確保電機運行的穩定性和可靠性。
3. **負載開關**: 在需要高效能的負載開關應用中,STU419A-VB也是一個理想選擇。它能夠快速響應控制信號,實現快速開關動作,適用于智能家居設備和工業自動化系統中的負載控制。
4. **逆變器和轉換器**: 該MOSFET在逆變器和轉換器中也廣泛應用,特別是太陽能和風能等可再生能源系統中。它的高效率和高可靠性有助于提高能源轉換效率,減少系統能耗。
通過上述應用場景的描述,可以看出STU419A-VB作為一款高性能的P溝道MOSFET,適用于多種電力電子設備和系統模塊,為不同領域的高效能和可靠性提供了堅實的保障。
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