產品簡介：
30N06G-TN3-T-VB是VBsemi生產的N-Channel溝道場效應晶體管，采用TO252封裝。它具有60V的漏極-源極電壓（VDS）、45A的漏極電流（ID），以及在VGS=10V時的24mΩ的導通電阻（RDS(ON)）。該器件的門極-源極電壓（VGS）范圍為-20V至2V，閾值電壓（Vth）為1.8V。
詳細參數說明：
- 品牌：VBsemi
- 型號：30N06G-TN3-T-VB
- 絲印：VBE1638
- 類型：N-Channel溝道場效應晶體管
- 漏極-源極電壓（VDS）：60V
- 漏極電流（ID）：45A
- RDS(ON)：24mΩ @ VGS=10V
- VGS范圍：-20V至2V
- 閾值電壓（Vth）：1.8V
- 封裝：TO252
適用領域和模塊示例：
1. 電源管理模塊：由于30N06G-TN3-T-VB具有低導通電阻和較高的漏極電流能力，可用于設計高性能的電源管理模塊，如開關穩壓器和DC-DC轉換器，以提供穩定的電源輸出。
2. 電機驅動：在工業自動化和汽車電子領域，該晶體管可用于驅動直流電機，如電動汽車的電機驅動系統、機器人和工廠自動化設備的電機控制等。
3. LED照明應用：30N06G-TN3-T-VB可用于驅動LED照明系統中的電源開關，以控制LED的亮度和功率，適用于室內和室外照明應用。
4. 電源逆變器：在太陽能逆變器和UPS等電源逆變器中，該型號的晶體管可用于高效地控制電能轉換過程，提高能源利用率和系統性能。
5. 車載電子：由于其高電壓和電流承受能力，30N06G-TN3-T-VB可用于汽車電子系統中的電源管理、電動汽車的驅動系統等應用，提供穩定的電源和驅動能力。
