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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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FQD20N06LTF-VB一款N—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: FQD20N06LTF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

一、產品簡介:
FQD20N06LTF-VB是VBsemi生產的N溝道場效應管,具有60V的漏極-源極電壓額定值,能夠承受最大45A的電流。其特點包括低導通電阻(RDS(ON))為24mΩ,在VGS=10V和VGS=20V時。門壓閾值(Vth)為1.8V。該器件采用TO252封裝,適用于各種應用場合。

二、詳細參數說明:
- 最大漏極-源極電壓(VDSS):60V
- 最大連續漏極電流(ID):45A
- 靜態漏極-源極電阻(RDS(ON)):24mΩ(在VGS=10V時)
- 端口-源極電壓(VGS):±20V
- 門壓閾值(Vth):1.8V

三、適用領域和模塊示例:
1. 電源管理模塊:FQD20N06LTF-VB適用于電源開關模塊、DC-DC轉換器和充電器等應用,能夠有效地管理和轉換電能。
2. 電動車輛:在電動汽車、電動自行車和電動滑板車等交通工具中,該器件可作為驅動電機和電池管理系統的關鍵組件,提供高效的功率轉換和控制。
3. 工業自動化:在工業控制系統、機器人技術和自動化設備中,FQD20N06LTF-VB可用于開關電路和電源管理,實現精確的控制和高效的能量轉換。

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