--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介:
RQJ0332FQDQS-VB是VBsemi推出的一款N溝道場效應管,絲印為VBL1615,封裝為TO263。該產品具有60V的漏極-源極電壓承受能力,最大漏極電流為75A。在VGS=10V時,導通電阻RDS(ON)為11mΩ;在VGS=20V時,閾值電壓Vth為1.9V。
### 詳細參數說明:
- 溝道類型:N溝道
- 漏極-源極電壓(VDS):60V
- 最大漏極電流(ID):75A
- 漏極-源極導通電阻(RDS(ON)):11mΩ @ VGS=10V
- 閾值電壓(Vth):1.9V @ VGS=20V
- 封裝:TO263
- 品牌:VBsemi
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B6/F9/wKgZomV6XZGAPzBzAALZfQ6uEFY986.png)
### 應用領域和模塊示例:
該產品適用于需要承受較高電壓和電流的場合,常見的應用領域和模塊包括但不限于:
1. 電源管理模塊:用于開關電源和直流-直流變換器;
2. 電機驅動器:用于控制電動工具、汽車電動助力轉向系統等電機;
3. 照明控制:用于LED照明燈具和汽車照明系統的控制模塊;
4. 電池保護模塊:用于鋰電池組的過充和過放保護。
為你推薦
-
BUK661R9-40C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:26
產品型號:BUK661R9-40C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R8-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:23
產品型號:BUK661R8-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK661R6-30C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:20
產品型號:BUK661R6-30C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6610-75C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:16
產品型號:BUK6610-75C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK6607-55C-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:14
產品型號:BUK6607-55C-VB 封裝:TO263 溝道:Single-N -
BUK657-600B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:12
產品型號:BUK657-600B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:09
產品型號:BUK657-500B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-500A-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:07
產品型號:BUK657-500A-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-450B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:06
產品型號:BUK657-450B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N -
BUK657-400B-VB一款Single-N溝道TO220的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明2025-01-15 17:03
產品型號:BUK657-400B-VB 封裝:TO220 溝道:Single-N