--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263封裝
- 溝道 N—Channel
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**產品型號:RQJ0402FQDQS-VB**
**絲印:VBL1615**
**品牌:VBsemi**
RQJ0402FQDQS-VB 是由 VBsemi 提供的一款高性能 N 溝道 MOSFET,適用于各種電子應用。這款 MOSFET 具備 60V 的耐壓和 75A 的最大連續漏極電流,適合高電流、高效率的電源管理和開關應用。該器件具有低 RDS(ON) 值(11mΩ@VGS=10V),確保了較低的導通損耗,從而提高了系統效率。該 MOSFET 采用 TO-263 封裝,便于散熱和安裝。
### 二、詳細參數說明
| 參數名稱 | 參數值 |
|------------------|---------------------------------------------|
| 產品型號 | RQJ0402FQDQS-VB |
| 品牌 | VBsemi |
| 類型 | N 溝道 MOSFET |
| 漏源電壓 (VDS) | 60V |
| 最大連續漏極電流 (ID) | 75A |
| 漏源導通電阻 (RDS(ON)) | 11mΩ @ VGS=10V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.9V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 工作溫度范圍 | -55°C 至 175°C |
| 功率耗散 (Pd) | 300W |
| 輸入電容 (Ciss) | 3600pF |
| 反向傳輸電容 (Crss)| 500pF |
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B6/F9/wKgZomV6XZGAPzBzAALZfQ6uEFY986.png)
### 三、應用領域和模塊舉例
RQJ0402FQDQS-VB N 溝道 MOSFET 廣泛應用于多種領域和模塊,以下是幾個典型的應用例子:
1. **電源管理和分布式電源系統**
- **應用領域**:適用于服務器、電信設備、數據中心和高性能計算系統。
- **具體模塊**:用于降壓轉換器(Buck Converter)、升壓轉換器(Boost Converter)和同步整流器中,以提高電源轉換效率和減少熱量生成。
2. **電機驅動和控制**
- **應用領域**:用于工業自動化、家電和電動汽車等領域的電機驅動和控制。
- **具體模塊**:用于 H 橋電路和三相電機驅動電路中,以實現高效的電機控制和速度調節。
3. **負載開關和保護電路**
- **應用領域**:適用于消費電子設備、便攜式設備和電池管理系統。
- **具體模塊**:用于負載開關電路中,以實現對不同負載的高效切換和保護功能,如智能手機、平板電腦和筆記本電腦中的電池保護電路。
4. **光伏逆變器和能量存儲系統**
- **應用領域**:用于太陽能光伏系統和能量存儲系統中。
- **具體模塊**:在光伏逆變器中用于高效轉換直流電為交流電,以及在能量存儲系統中用于電池管理和充放電控制。
通過使用 RQJ0402FQDQS-VB,這些應用可以獲得更高的效率、更低的能耗和更可靠的性能,從而提升整體系統的性能和可靠性。
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