--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 SOT23-6封裝
- 溝道 2個P—Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
VBsemi P-Channel MOSFET RQJ0464FQDQS-VB
品牌:VBsemi
絲印:VB4290
參數(shù):
- 2個P-Channel溝道
- 額定電壓:-20V
- 額定電流:-4A
- RDS(ON):75mΩ @ VGS=4.5V
- RDS(ON):20mΩ @ VGS=12V
- 閾值電壓:-1.2V 至 -2.2V
封裝:SOT23-6
![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A3/E0/wKgZomUKYWaAYZxUAAGD-HRAVZo701.png)
產(chǎn)品簡介:
RQJ0464FQDQS-VB是VBsemi生產(chǎn)的P-Channel MOSFET,具有2個P-Channel溝道。采用SOT23-6封裝,適用于各種低壓、低功率的應(yīng)用場合。
詳細(xì)參數(shù)說明:
1. **額定電壓(VDS)**:-20V的額定電壓適用于低壓應(yīng)用場合,例如電池供電系統(tǒng)或低壓電路。
2. **額定電流(ID)**:-4A的額定電流使得該器件能夠承受一定的電流負(fù)載,適用于低功率應(yīng)用。
3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**:在4.5V的柵源電壓下,RDS(ON)為75mΩ,提供了相對較低的導(dǎo)通電阻,有助于減小功率損耗。
4. **閾值電壓(Vth)**:閾值電壓在-1.2V至-2.2V之間,使得器件易于控制,適用于各種電路設(shè)計。
該產(chǎn)品適用領(lǐng)域和模塊舉例:
1. **移動設(shè)備**:由于其低壓、低功率特性,RQJ0464FQDQS-VB適用于移動設(shè)備中的電池管理系統(tǒng)、充放電控制等。
2. **傳感器控制**:在傳感器控制模塊中,這種P-Channel MOSFET可用于傳感器的驅(qū)動和信號調(diào)節(jié)。
3. **消費類電子產(chǎn)品**:在小型電子產(chǎn)品中,例如智能手表、耳機(jī)等,該器件可用于電源管理、信號控制等。
4. **醫(yī)療設(shè)備**:在醫(yī)療設(shè)備中,RQJ0464FQDQS-VB可用于各種低功率電路,例如醫(yī)療傳感器、控制模塊等。
綜上所述,RQJ0464FQDQS-VB是一款適用于各種低功率、低壓應(yīng)用場合的P-Channel MOSFET,特別適用于移動設(shè)備、傳感器控制、消費類電子產(chǎn)品和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。
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