VBsemi P-Channel MOSFET RQJ0469FQDQS-VB
品牌：VBsemi
絲印：VB4290
參數(shù)：
- 2個P-Channel溝道
- 額定電壓：-20V
- 額定電流：-4A
- RDS(ON)：75mΩ @ VGS=4.5V
- RDS(ON)：20mΩ @ VGS=12V
- 閾值電壓：-1.2V 至 -2.2V
封裝：SOT23-6
產品簡介：
RQJ0469FQDQS-VB是VBsemi生產的P-Channel MOSFET，具有2個P-Channel溝道。采用SOT23-6封裝，適用于各種低壓、低功率的應用場合。
詳細參數(shù)說明：
1. **額定電壓（VDS）**：-20V的額定電壓適用于低壓應用場合，例如電池供電系統(tǒng)或低壓電路。
2. **額定電流（ID）**：-4A的額定電流使得該器件能夠承受一定的電流負載，適用于低功率應用。
3. **導通電阻（RDS(ON)）**：在4.5V的柵源電壓下，RDS(ON)為75mΩ，提供了相對較低的導通電阻，有助于減小功率損耗。
4. **閾值電壓（Vth）**：閾值電壓在-1.2V至-2.2V之間，使得器件易于控制，適用于各種電路設計。
該產品適用領域和模塊舉例：
1. **移動設備**：由于其低壓、低功率特性，RQJ0469FQDQS-VB適用于移動設備中的電池管理系統(tǒng)、充放電控制等。
2. **傳感器控制**：在傳感器控制模塊中，這種P-Channel MOSFET可用于傳感器的驅動和信號調節(jié)。
3. **消費類電子產品**：在小型電子產品中，例如智能手表、耳機等，該器件可用于電源管理、信號控制等。
4. **醫(yī)療設備**：在醫(yī)療設備中，RQJ0469FQDQS-VB可用于各種低功率電路，例如醫(yī)療傳感器、控制模塊等。
綜上所述，RQJ0469FQDQS-VB是一款適用于各種低功率、低壓應用場合的P-Channel MOSFET，特別適用于移動設備、傳感器控制、消費類電子產品和醫(yī)療設備等領域。
