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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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RQJ0489FQDQS-VB一種N—Channel溝道TO252封裝MOS管

型號: RQJ0489FQDQS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi N-Channel MOSFET RQJ0489FQDQS-VB**

- **絲印:** VBE1203M
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
 - N-Channel溝道
 - 額定電壓:200V
 - 額定電流:10A
 - 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):245mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓(Vth):3.06V
- **封裝:** TO252

**產(chǎn)品簡介:**

RQJ0489FQDQS-VB是VBsemi生產(chǎn)的N-Channel MOSFET,具有200V的額定電壓和10A的額定電流。采用TO252封裝,適用于各種中功率、中壓的應(yīng)用場合。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**

1. **額定電壓(VDS):** 200V的額定電壓使得該器件適用于中等電壓的電路設(shè)計,例如工業(yè)控制系統(tǒng)、電源轉(zhuǎn)換器等。
 
2. **額定電流(ID):** 10A的額定電流使得該器件能夠承受一定的電流負(fù)載,適用于中功率應(yīng)用。
 
3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在10V的柵源電壓下,RDS(ON)為245mΩ,提供了較低的導(dǎo)通電阻,有助于減小功率損耗和提高效率。
 
4. **閾值電壓(Vth):** 閾值電壓為3.06V,使得器件易于控制,適用于各種電路設(shè)計。

**該產(chǎn)品適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源轉(zhuǎn)換器:** 由于其高電壓和較高電流特性,RQJ0489FQDQS-VB適用于各種電源轉(zhuǎn)換器,如開關(guān)電源、逆變器等。
 
2. **工業(yè)控制系統(tǒng):** 在工業(yè)控制系統(tǒng)中,這種MOSFET可用于電機(jī)控制、電源管理等。
 
3. **電動汽車充電樁:** 適用于電動汽車充電樁中的直流充電控制模塊,確保高效率和可靠性。
 
4. **UPS系統(tǒng):** 在UPS系統(tǒng)中,RQJ0489FQDQS-VB可用于電池管理、逆變器控制等關(guān)鍵部分,確保穩(wěn)定的電源輸出。

綜上所述,RQJ0489FQDQS-VB是一款適用于中功率、中壓應(yīng)用場合的N-Channel MOSFET,特別適用于電源轉(zhuǎn)換器、工業(yè)控制系統(tǒng)、電動汽車充電樁和UPS系統(tǒng)等領(lǐng)域。

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