**VBsemi N-Channel MOSFET RQJ0519FQDQS-VB**

- **絲印：** VBE1203M
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
 - N-Channel溝道
 - 額定電壓：200V
 - 額定電流：10A
 - 導通電阻（RDS(ON)）：245mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓（Vth）：3.06V
- **封裝：** TO252

**產品簡介：**

RQJ0519FQDQS-VB是VBsemi生產的N-Channel MOSFET，具有200V的額定電壓和10A的額定電流。采用TO252封裝，適用于各種中功率、中壓的應用場合。

**詳細參數說明：**

1. **額定電壓（VDS）：** 200V的額定電壓使得該器件適用于中等電壓的電路設計，例如工業控制系統、電源轉換器等。
 
2. **額定電流（ID）：** 10A的額定電流使得該器件能夠承受一定的電流負載，適用于中功率應用。
 
3. **導通電阻（RDS(ON)）：** 在10V的柵源電壓下，RDS(ON)為245mΩ，提供了較低的導通電阻，有助于減小功率損耗和提高效率。
 
4. **閾值電壓（Vth）：** 閾值電壓為3.06V，使得器件易于控制，適用于各種電路設計。

**該產品適用領域和模塊舉例：**

1. **電源轉換器：** 由于其高電壓和較高電流特性，RQJ0519FQDQS-VB適用于各種電源轉換器，如開關電源、逆變器等。
 
2. **工業控制系統：** 在工業控制系統中，這種MOSFET可用于電機控制、電源管理等。
 
3. **電動汽車充電樁：** 適用于電動汽車充電樁中的直流充電控制模塊，確保高效率和可靠性。
 
4. **UPS系統：** 在UPS系統中，RQJ0519FQDQS-VB可用于電池管理、逆變器控制等關鍵部分，確保穩定的電源輸出。

綜上所述，RQJ0519FQDQS-VB是一款適用于中功率、中壓應用場合的N-Channel MOSFET，特別適用于電源轉換器、工業控制系統、電動汽車充電樁和UPS系統等領域。