**VBsemi N-Channel MOSFET RQJ0549FQDQS-VB**

- **絲印：** VBE1203M
- **品牌：** VBsemi
- **參數：**
 - N-Channel溝道
 - 額定電壓：200V
 - 額定電流：10A
 - 導通電阻（RDS(ON)）：245mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓（Vth）：3.06V
- **封裝：** TO252

**產品簡介：**

RQJ0549FQDQS-VB是一款N-Channel溝道的MOSFET，由VBsemi生產。具有高達200V的額定電壓和10A的額定電流。其低導通電阻和合適的閾值電壓使得它在各種中功率應用中表現優異。

**詳細參數說明：**

1. **額定電壓（VDS）：** 200V的額定電壓使得該MOSFET適用于中等電壓的電路設計，如工業電源、電機驅動器等。

2. **額定電流（ID）：** 10A的額定電流表示它可以承受相當大的負載電流，適用于中功率應用。

3. **導通電阻（RDS(ON)）：** 在10V的柵極-源極電壓下，導通電阻為245mΩ，這意味著在導通狀態下，器件會產生較低的功率損耗。

4. **閾值電壓（Vth）：** 閾值電壓為3.06V，這使得器件易于控制，適用于各種電路設計。

**適用領域和模塊舉例：**

1. **電源轉換器：** 由于其高電壓和較高電流特性，可用于開關電源、逆變器等電源轉換器。

2. **工業控制系統：** 在工業自動化和控制系統中，可以用于電機控制、電源管理等方面。

3. **汽車電子：** 適用于汽車電子系統中的電源管理、馬達控制等應用。

4. **UPS系統：** 在不間斷電源系統中，可用于電池管理、逆變器控制等關鍵部分，確保穩定的電源輸出。

綜上所述，RQJ0549FQDQS-VB是一款性能優異的N-Channel MOSFET，適用于中功率應用，包括電源轉換器、工業控制系統、汽車電子以及UPS系統等領域。