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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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SQD50P04-13L-GE3-VB一款P—Channel溝道TO252的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: SQD50P04-13L-GE3-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**VBsemi P-Channel MOSFET SQD50P04-13L-GE3-VB**

- **絲印:** VBE2412
- **品牌:** VBsemi
- **參數(shù):**
 - P—Channel溝道
 - 額定電壓:-40V
 - 額定電流:-65A
 - 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=10V
 - 閾值電壓(Vth):-1.6V
- **封裝:** TO252

**產(chǎn)品簡介:**

SQD50P04-13L-GE3-VB是VBsemi生產(chǎn)的一款P-Channel溝道的功率MOSFET。它具有高電壓、高電流和低導(dǎo)通電阻的特點,適用于各種功率控制和開關(guān)應(yīng)用。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**

1. **額定電壓(VDS):** 該MOSFET的額定電壓為-40V,適用于負(fù)載電源和功率逆變器等應(yīng)用。

2. **額定電流(ID):** 具有-65A的額定電流,適用于需要大電流承載能力的負(fù)載驅(qū)動器和功率開關(guān)應(yīng)用。

3. **導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):** 在VGS=10V時,導(dǎo)通電阻為10mΩ,這有助于降低功率損耗,提高效率。

4. **閾值電壓(Vth):** 閾值電壓為-1.6V,使得器件易于控制和驅(qū)動。

**適用領(lǐng)域和模塊舉例:**

1. **電源逆變器:** 用于電動汽車、UPS系統(tǒng)和太陽能逆變器等高功率負(fù)載電源逆變應(yīng)用中。

2. **電機驅(qū)動器:** 可用于電動汽車、電動工具和工業(yè)機械等負(fù)載驅(qū)動器中,如馬達(dá)控制、風(fēng)扇控制等。

3. **功率開關(guān):** 適用于高功率開關(guān)模塊,如電源開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和充電器等。

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