### 產品簡介：
VBsemi UTT50P04L-TN3-R-VB是一款P-Channel溝道MOSFET，品牌為VBsemi。它具有-40V的漏極-源極電壓（VDS）、-65A的漏極電流（ID），在柵極-源極電壓（VGS）為10V和20V時的導通電阻（RDS(ON)）分別為10mΩ，閾值電壓（Vth）為-1.6V。該器件采用TO252封裝。

### 詳細參數說明：
- **型號：** UTT50P04L-TN3-R-VB
- **品牌：** VBsemi
- **溝道類型：** P-Channel
- **VDS（漏極-源極電壓）：** -40V
- **ID（漏極電流）：** -65A
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 10mΩ @ VGS=10V; 20V
- **Vth（閾值電壓）：** -1.6V
- **封裝：** TO252

### 應用領域和模塊示例：
1. **電源管理模塊：** UTT50P04L-TN3-R-VB可用于低壓降和高效率的功率開關，適用于電源管理模塊。
2. **電池保護：** 在電池供電系統中，UTT50P04L-TN3-R-VB可用于電池保護電路，防止過放電和過充電。
3. **直流電機驅動：** 由于其低導通電阻和高漏極-源極電壓，該器件適用于直流電機驅動模塊，提高效率并減少發熱。
4. **LED照明控制：** 作為LED照明控制模塊的一部分，UTT50P04L-TN3-R-VB可用于功率開關，實現LED燈的亮度調節和開關控制。

這些示例僅代表了UTT50P04L-TN3-R-VB在各種應用領域和模塊中的一部分潛在用途。

### 產品簡介：
VBsemi UTT50P04L-TN3-R-VB 是一款 P-Channel 溝道 MOSFET，品牌為 VBsemi。具有 -40V 的漏極-源極電壓（VDS）、-65A 的漏極電流（ID），在柵極-源極電壓（VGS）為 10V 和 20V 時的導通電阻（RDS(ON)）分別為 10mΩ，閾值電壓（Vth）為 -1.6V。該器件采用 TO252 封裝。

### 詳細參數說明：
- **型號：** UTT50P04L-TN3-R-VB
- **品牌：** VBsemi
- **溝道類型：** P-Channel
- **VDS（漏極-源極電壓）：** -40V
- **ID（漏極電流）：** -65A
- **RDS(ON)（導通電阻）：** 10mΩ @ VGS=10V; 20V
- **Vth（閾值電壓）：** -1.6V
- **封裝：** TO252

### 應用領域和模塊示例：
1. **電源管理模塊：** UTT50P04L-TN3-R-VB 可用于低壓降和高效率的功率開關，適用于電源管理模塊。
2. **電池保護：** 在電池供電系統中，UTT50P04L-TN3-R-VB 可用于電池保護電路，防止過放電和過充電。
3. **直流電機驅動：** 由于其低導通電阻和高漏極-源極電壓，該器件適用于直流電機驅動模塊，提高效率并減少發熱。
4. **LED照明控制：** 作為 LED 照明控制模塊的一部分，UTT50P04L-TN3-R-VB 可用于功率開關，實現 LED 燈的亮度調節和開關控制。

以上示例僅代表 UTT50P04L-TN3-R-VB 在各種應用領域和模塊中的一部分潛在用途。