以下是關于VBsemi的MOSFET產品048N12N-VB的詳細信息：
1. 產品簡介：
- 型號：048N12N-VB
- 封裝：TO220
- 構造：單N溝道
- 額定漏極-源極電壓（VDS）：100V
- 額定柵極-源極電壓（VGS）：20V（±）
- 閾值電壓（Vth）：3V
- 靜態漏極-源極電阻（RDS(ON)）：在VGS=10V時為5mΩ
- 連續漏極電流（ID）：120A
- 工藝：溝槽
2. 參數說明：
- VDS：100V是該MOSFET的最大漏極-源極電壓，超過這個電壓可能導致器件損壞。
- VGS：20V（±）是該MOSFET的最大柵極-源極電壓范圍，超過這個范圍可能導致器件損壞。
- Vth：3V是該MOSFET的閾值電壓，即當柵極電壓高于3V時，MOSFET開始導通。
- RDS(ON)：5mΩ@VGS=10V表示當柵極電壓為10V時，MOSFET的靜態漏極-源極電阻為5mΩ，這決定了MOSFET的導通時的電阻大小。
- ID：120A是該MOSFET的最大連續漏極電流，超過這個電流可能導致器件過熱損壞。
3. 應用領域和模塊示例：
- 電源模塊：由于048N12N-VB具有較低的漏極-源極電阻和較高的漏極電流能力，因此適用于高性能電源模塊，如高端計算機電源和工業電源。
- 電動汽車（EV）驅動模塊：由于其高電壓和電流能力，可以在電動汽車的電機控制器中使用，提供高效率和高性能。
- 照明應用：可用于LED照明驅動器，由于其低導通電阻，可以提供更高的效率和更低的熱耗散。
請注意，以上示例僅用于說明該MOSFET可能的應用領域和模塊，實際應用需根據具體設計要求進行評估。
