### 產品簡介：
VBsemi的050N06L-VB是一款TO263封裝的單N溝道場效應晶體管（MOSFET）。該器件具有60V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，正負值）、3V的閾值電壓（Vth）、4mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及150A的漏極電流（ID）。采用了溝槽工藝（Trench Technology），在高電壓下具有良好的性能和可靠性。
### 參數說明：
- 封裝：TO263
- 類型：單N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：60V
- VGS（柵極-源極電壓）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：3V
- RDS(ON)：4mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：150A
- 工藝：溝槽工藝
### 適用領域和模塊：
- 電源模塊：由于其低導通電阻和高漏極電流，050N06L-VB適用于電源模塊，如電源開關和開關穩壓器。
- 電機控制模塊：在需要高電流輸出的電機控制模塊中，該器件可以提供可靠的功率開關控制。
- 汽車電子：在汽車電子領域，由于其耐高溫、高電壓和高電流的特性，050N06L-VB常被應用于汽車引擎控制單元（ECU）、照明系統和電動機控制器等模塊中。
