### 產品簡介：
VBsemi的05CN10N-VB是一款TO263封裝的單通道N溝道MOSFET，具有100V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，正負）和3V的閾值電壓（Vth）。該器件采用溝道工藝，具有在VGS=10V時RDS(ON)為4mΩ的低導通電阻。其最大漏極電流（ID）為140A。
### 參數說明：
- **器件類型**：單通道N溝道MOSFET
- **封裝**：TO263
- **VDS（漏極-源極電壓）**：100V
- **VGS（柵極-源極電壓）**：±20V
- **閾值電壓（Vth）**：3V
- **導通電阻（RDS(ON)）**：4mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流（ID）**：140A
- **工藝**：溝道
### 適用領域和模塊舉例：
1. **電源管理模塊**：由于其較高的漏極電壓和低導通電阻，05CN10N-VB適用于電源管理模塊，如開關電源和直流-直流轉換器，提供高效的電源控制。
2. **電動汽車充電樁模塊**：在電動汽車充電樁中，這款MOSFET可用于控制充電樁的電能輸出，實現高效、安全的電動汽車充電。
3. **工業控制模塊**：在工業控制系統中，05CN10N-VB可用于控制各種電機和裝置，提供高效的電能管理和控制。
4. **電源開關模塊**：作為電源開關器件，該MOSFET可用于各種電源開關應用，如開關電源和電源管理系統，實現高效的電源控制和管理。
以上是對05CN10N-VB的產品簡介、詳細參數說明以及適用領域和模塊的舉例說明。
