### 產品簡介

05N50E-VB是一款單通道N溝道MOSFET，采用TO220F封裝，具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS，±V）、3.5V的閾值電壓（Vth）、1100mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及7A的漏極電流（ID）。該產品采用Plannar技術，適用于中高壓應用。

### 參數說明

- **封裝：** TO220F
- **結構：** 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 650V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** 30V（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 3.5V
- **導通電阻（RDS(ON))：** 1100mΩ@VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 7A
- **技術：** Plannar

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源逆變器：** 05N50E-VB適用于中高壓的電源逆變器，如工業用逆變器和太陽能逆變器等，用于將直流電轉換為交流電。

2. **照明驅動：** 在需要處理中高壓的LED照明應用中，該產品可用于LED驅動器的功率開關。

3. **電動汽車充電樁：** 由于具有較高的漏極-源極電壓和適度的漏極電流，05N50E-VB適用于電動汽車充電樁的電源開關。

4. **工業控制系統：** 在工業控制系統中，需要承受中高壓的電源開關和電流控制，例如電機控制、電源管理等，該產品可用于這些應用。

5. **高壓電源管理：** 由于具有較高的漏極-源極電壓，05N50E-VB適用于需要處理中高壓的電源管理應用，如開關電源和DC-DC變換器。