VBsemi的05N50-VB是一款TO220F封裝的單N溝道MOSFET。它具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V（±V）的門極-源極電壓（VGS）、3.5V的閾值電壓（Vth）、在VGS=10V時的1100mΩ的導通電阻（RDS(ON)）、以及7A的漏極電流（ID）。該產品采用Plannar工藝。
**產品簡介：**
VBsemi的05N50-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，適用于多種領域和模塊。它具有高漏極電壓、低導通電阻和可靠性強的特點，適用于要求高電壓和高效率的應用場合。
**詳細參數說明：**
- 封裝：TO220F
- 類型：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：650V
- 門極-源極電壓（VGS）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：1100mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：7A
- 工藝：Plannar
**應用領域和模塊示例：**
1. **電源模塊**：05N50-VB適用于高壓電源模塊，如電源逆變器、電源開關等，具有高效率和可靠性。
2. **電動車充電器**：在電動車充電器中，05N50-VB可用于高壓直流變換器，提供穩定的電壓輸出。
3. **工業電源**：在工業電源系統中，05N50-VB可用于高壓直流電源模塊，提供穩定的電源輸出。
4. **UPS**：在不間斷電源系統中，05N50-VB可用于功率開關模塊，確保電力系統的穩定性和可靠性。
這些是05N50-VB的一些典型應用場景，但并不限于此，具體應用取決于設計要求和環境條件。
