### 產品簡介

068N10N-VB是一款單通道N溝道MOSFET，采用TO252封裝，具有100V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，±V）、2.5V的閾值電壓（Vth）、10.5mΩ@VGS=4.5V和8.5mΩ@VGS=10V的導通電阻（RDS(ON)）、以及85A的漏極電流（ID）。該產品采用Trench技術，適用于中高壓高電流應用。

### 參數說明

- **封裝：** TO252
- **結構：** 單N溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 100V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** 20V（±V）
- **閾值電壓（Vth）：** 2.5V
- **導通電阻（RDS(ON))：**
 - @VGS=4.5V: 10.5mΩ
 - @VGS=10V: 8.5mΩ
- **漏極電流（ID）：** 85A
- **技術：** Trench

### 應用領域和模塊舉例

1. **電源管理：** 068N10N-VB適用于中高壓高電流的電源管理應用，如開關電源和DC-DC變換器，可提供高效的電源開關功能。

2. **電動汽車充電樁：** 由于具有適度的漏極電流和低導通電阻，該產品適用于電動汽車充電樁的電源開關。

3. **工業控制系統：** 068N10N-VB適用于工業控制系統中的電機驅動、照明控制和電源管理等領域，可處理高電流和低壓降的需求。

4. **太陽能逆變器：** 068N10N-VB可用于太陽能發電系統中的逆變器，提供高效和可靠的功率開關電路。

5. **高壓電源管理：** 由于具有較高的漏極-源極電壓，068N10N-VB適用于需要處理中高壓的電源管理應用，如開關電源和DC-DC變換器。