### 產(chǎn)品簡介：
VBsemi的076N06NS3-VB是一款DFN8(5X6)封裝的單N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET）。該器件具有60V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，正負(fù)值）、2.5V的閾值電壓（Vth）、7mΩ@VGS=4.5V和6mΩ@VGS=10V的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）、以及80A的漏極電流（ID）。采用了溝槽工藝（Trench Technology），在高電壓下具有良好的性能和可靠性。

### 參數(shù)說明：
- 封裝：DFN8(5X6)
- 類型：單N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：60V
- VGS（柵極-源極電壓）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：2.5V
- RDS(ON)：7mΩ@VGS=4.5V，6mΩ@VGS=10V
- ID（漏極電流）：80A
- 工藝：溝槽工藝

### 適用領(lǐng)域和模塊：
- 電源模塊：由于其低導(dǎo)通電阻和高漏極電流，076N06NS3-VB適用于電源模塊，如電源開關(guān)和開關(guān)穩(wěn)壓器。這些模塊需要可靠的開關(guān)和控制來管理高功率負(fù)載。
- 電動工具：在需要高功率輸出的電動工具中，該器件可以提供可靠的功率開關(guān)控制，確保設(shè)備的高效率和可靠性。
- 汽車電子：在汽車電子領(lǐng)域，由于其高漏極電流和適中的漏極電壓，076N06NS3-VB常被應(yīng)用于汽車電源管理模塊和點火系統(tǒng)等模塊中，確保車輛的高性能和可靠性。