### 07N60C2-VB 產品簡介

**型號**: 07N60C2-VB  
**封裝**: TO251  
**配置**: 單一N溝道  
**技術**: SJ_Multi-EPI

07N60C2-VB 是一款高壓N溝道MOSFET，具有650V的漏源電壓（VDS）和7A的連續漏極電流（ID）。該器件采用了Super Junction（SJ）多重外延（Multi-EPI）技術，顯著降低了導通電阻（RDS(ON)），使其在高壓應用中表現出色。其門極閾值電壓（Vth）為3.5V，確保了在低門極驅動電壓下也能可靠開啟。

### 07N60C2-VB 參數說明

- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 700mΩ @ VGS=10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 7A
- **脈沖漏極電流 (IDM)**: 28A
- **功耗 (PD)**: 48W
- **工作溫度范圍 (Tj)**: -55°C ~ 150°C
- **封裝類型**: TO251
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊示例

**電源管理**
07N60C2-VB MOSFET 可用于高效電源管理系統，如開關電源（SMPS）和逆變器。其高耐壓特性和低導通電阻使其在高頻操作下能有效減少功耗，提高系統效率。

**電機驅動**
在電機驅動應用中，07N60C2-VB 作為開關元件使用，能提供穩定的電流控制，適用于工業電機控制器和伺服驅動器。

**照明系統**
該MOSFET適用于LED驅動電路，特別是需要高壓操作的場景。它能提高驅動電路的整體效率，減少熱損耗。

**工業自動化**
在工業自動化設備中，07N60C2-VB 可用于各種控制和驅動模塊，如PLC、變頻器等，提供可靠的高壓開關功能。

**電動汽車**
07N60C2-VB 在電動汽車（EV）的充電模塊和電池管理系統（BMS）中也有廣泛應用。其高電壓和大電流處理能力使其能有效管理電池充放電過程，確保系統的穩定和安全。

通過上述應用實例，可以看出07N60C2-VB MOSFET在各類高壓、高功率電路中都能發揮關鍵作用，提升系統的性能和效率。