### 07N60S5-VB TO220 產品簡介

07N60S5-VB 是一種高效能的單N溝道MOSFET，采用TO220封裝。該器件具有較高的擊穿電壓（650V），適合高壓應用。其先進的SJ_Multi-EPI技術使其在導通電阻（RDS(ON)）和開關性能之間實現了良好的平衡，確保其在高效能和低功耗方面表現出色。適用于各種需要高電壓、高電流和快速開關特性的應用場景，如電源管理系統、逆變器和電機驅動等。

### 07N60S5-VB TO220 詳細參數說明

- **封裝類型**：TO220
- **配置**：單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**：650V
- **柵源極電壓 (VGS)**：±30V
- **門限電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：500mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**：9A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 07N60S5-VB TO220 應用領域和模塊

1. **電源管理系統**：
  - **應用實例**：在開關電源（SMPS）中，07N60S5-VB MOSFET 能夠在高效轉換電壓的同時減少功耗。其高擊穿電壓和低導通電阻使其非常適合用于AC-DC電源和DC-DC轉換器。

2. **逆變器**：
  - **應用實例**：在太陽能逆變器中，該MOSFET可以高效地轉換直流電為交流電，同時由于其較低的導通電阻，能夠顯著降低能量損耗，提高整體系統的效率和可靠性。

3. **電機驅動**：
  - **應用實例**：在電動汽車的電機驅動模塊中，07N60S5-VB能夠提供穩定的高電流輸出，同時其快速開關特性有助于提升電機的響應速度和控制精度。

這些應用場景展示了07N60S5-VB在高壓、高效能和高可靠性需求下的卓越性能，確保其在多種工業和消費電子領域都能得到廣泛應用。