VBsemi的07N60S5-VB是一款TO263封裝的單N溝道MOSFET。它具有650V的漏極-源極電壓（VDS）、30V的柵極-源極電壓（VGS，±V）、3.5V的閾值電壓（Vth）、在VGS=10V時的800mΩ的導通電阻（RDS(ON)）、以及12A的漏極電流（ID）。該產品采用平面工藝（Plannar）技術。
**產品簡介：**
VBsemi的07N60S5-VB是一款高性能TO263封裝的單N溝道MOSFET，適用于各種功率電子應用，如開關電源、電源適配器、照明和電動工具等。它具有優異的導通特性和耐壓能力，可在高壓和高電流條件下穩定工作。
**詳細參數說明：**
- 封裝：TO263
- 極性：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：650V
- 柵極-源極電壓（VGS）：30V（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：800mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流（ID）：12A
- 技術：平面工藝（Plannar）
**應用領域和模塊示例：**
1. 工業電源模塊：07N60S5-VB可用作工業電源模塊中的主要開關元件，提供穩定的電源轉換效率。
2. 汽車電子系統：在汽車電子系統中，07N60S5-VB可用于驅動電動汽車的電動機控制單元（MCU），提供高效的能量轉換。
3. 太陽能逆變器：適用于太陽能逆變器的07N60S5-VB具有良好的熱穩定性和高功率密度，可提高太陽能電池板的能量轉換效率。
4. LED驅動器：07N60S5-VB可用于LED驅動器中，提供高效的功率轉換和穩定的電源輸出。
5. 工業控制系統：在工業控制系統中，07N60S5-VB可用于開關電源和電機控制，提供可靠的電源開關和控制功能。
這些示例說明了07N60S5-VB在多個領域和模塊中的廣泛應用，展示了其在不同應用環境下的高性能和穩定性。
