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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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086N10N-VB TO262一種N-Channel溝道TO262封裝MOS管

型號(hào): 086N10N-VB TO262
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO262封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

VBsemi的086N10N-VB是一款TO262封裝的單N溝道MOSFET。它具有100V的漏極-源極電壓(VDS)、20V的柵極-源極電壓(VGS,±V)、2.5V的閾值電壓(Vth)、在VGS=4.5V時(shí)的10mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))、在VGS=10V時(shí)的9mΩ的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))、以及100A的漏極電流(ID)。該產(chǎn)品采用槽道(Trench)技術(shù)。

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
VBsemi的086N10N-VB是一款高性能TO262封裝的單N溝道MOSFET,適用于需要高功率密度和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場(chǎng)合。它具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性和穩(wěn)定性,可在各種高電流應(yīng)用中提供可靠的性能。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 封裝:TO262
- 極性:?jiǎn)蜰溝道
- 漏極-源極電壓(VDS):100V
- 柵極-源極電壓(VGS):20V(±V)
- 閾值電壓(Vth):2.5V
- 導(dǎo)通電阻(RDS(ON)):10mΩ @ VGS=4.5V,9mΩ @ VGS=10V
- 漏極電流(ID):100A
- 技術(shù):槽道(Trench)

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. 電源管理模塊:086N10N-VB可用于電源管理模塊中,作為高功率開關(guān)元件,提供高效的能源轉(zhuǎn)換。
2. 電動(dòng)汽車控制器:在電動(dòng)汽車控制器中,086N10N-VB可用于電動(dòng)機(jī)控制,提供高功率密度和可靠性。
3. 電源適配器:適用于電源適配器的086N10N-VB具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力,可提供穩(wěn)定的電源輸出。
4. 風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng):086N10N-VB可用于風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)中,作為風(fēng)力渦輪機(jī)控制的關(guān)鍵元件,提供高效的能源轉(zhuǎn)換。
5. 工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng):在工業(yè)自動(dòng)化控制系統(tǒng)中,086N10N-VB可用于電源開關(guān)和電機(jī)控制,提供可靠的能源管理和控制功能。

這些示例說明了086N10N-VB在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中的廣泛應(yīng)用,展示了其在不同應(yīng)用環(huán)境下的高性能和穩(wěn)定性。

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