**088N03L-VB**

**產品簡介：**
VBsemi 088N03L-VB 是一款高性能的 DFN8(3X3) 封裝 N 溝道 MOSFET。其特點包括低導通電阻（RDS(ON)=19mΩ@VGS=4.5V，13mΩ@VGS=10V）、低門源電壓（VGS=20V）、高耐壓能力（30V）、高耐電流能力（ID=30A）等。該器件采用了 Trench 技術，適用于各種應用場合。

**詳細參數說明：**
- 封裝：DFN8(3X3)
- 極性：單 N 溝道
- 最大耐壓（VDS）：30V
- 最大門源電壓（VGS）：±20V
- 閾值電壓（Vth）：1.7V
- 導通電阻（RDS(ON)）：19mΩ@VGS=4.5V，13mΩ@VGS=10V
- 最大持續漏電流（ID）：30A
- 技術：Trench

**應用領域和模塊示例：**
1. **手機和平板電腦**：適用于手機、平板電腦等便攜式電子設備中的功率管理和電源控制。
2. **電源管理**：可用于筆記本電腦、數碼相機等設備的電源管理系統。
3. **LED 照明**：適用于 LED 背光、手電筒等小型照明設備中的功率開關控制。
4. **車載電子**：用于汽車電子設備中的功率管理和控制，如車載充電器、車載娛樂系統等。
5. **醫療設備**：適用于便攜式醫療設備、醫療成像設備等的功率控制和調節。
6. **工業控制**：可用于便攜式測試儀器、工業控制器等設備中的功率管理和控制。