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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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08N50C3-VB TO252一種N-Channel溝道TO252封裝MOS管

型號(hào): 08N50C3-VB TO252
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO252封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 08N50C3-VB 產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

08N50C3-VB 是一款單路 N-溝道場(chǎng)效應(yīng)管,采用 TO252 封裝,主要特點(diǎn)包括:

- **VDS(漏極-源極電壓)**:650V,適用于高壓應(yīng)用。
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±30V,具有較高的柵極工作電壓范圍。
- **Vth(閾值電壓)**:3.5V,適用于邏輯電平控制。
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:500mΩ@VGS=10V,低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱量。
- **ID(漏極電流)**:9A,能夠承受較大電流負(fù)載。
- **Technology(技術(shù))**:SJ_Multi-EPI,采用多重外延工藝,具有較好的性能和可靠性。

### 08N50C3-VB 詳細(xì)參數(shù)說明:

- **封裝**:TO252
- **通道**:?jiǎn)温?N-溝道
- **VDS(漏極-源極電壓)**:650V
- **VGS(柵極-源極電壓)**:±30V
- **Vth(閾值電壓)**:3.5V
- **RDS(ON)(導(dǎo)通電阻)**:500mΩ@VGS=10V
- **ID(漏極電流)**:9A


- **Technology(技術(shù))**:SJ_Multi-EPI

### 08N50C3-VB 在各領(lǐng)域和模塊的應(yīng)用示例:

1. **電源管理模塊**:08N50C3-VB 的高 VDS 和低 RDS(ON) 特性使其非常適合用于開關(guān)電源和 DC-DC 變換器,能夠提高效率并降低損耗。

2. **工業(yè)自動(dòng)化**:在工業(yè)控制系統(tǒng)中,08N50C3-VB 可以用作高壓開關(guān)器件,可靠性高,適合在惡劣的環(huán)境下工作。

3. **電動(dòng)汽車充電樁**:其能承受較大電流負(fù)載的特性使其成為電動(dòng)汽車充電樁中的理想選擇,可提供高效率和穩(wěn)定的充電性能。

4. **LED 照明**:08N50C3-VB 可以作為 LED 驅(qū)動(dòng)器中的開關(guān)器件,幫助實(shí)現(xiàn) LED 燈具的高效率和長(zhǎng)壽命。

以上是 08N50C3-VB 的一些應(yīng)用示例,它的特性使其在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中都能發(fā)揮重要作用。

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