### 09N20H-VB 產品簡介：

09N20H-VB 是一款單通道 N 溝道 MOSFET，封裝為 TO252。該器件具有 200V 的漏極-源極電壓（VDS），20V 的柵極-源極電壓（VGS，最大值），和 3V 的閾值電壓（Vth）。它采用溝槽工藝，具有低導通電阻和優異的性能。

### 09N20H-VB 詳細參數說明：

- **封裝：** TO252
- **通道類型：** 單 N 溝道
- **漏極-源極電壓（VDS）：** 200V
- **柵極-源極電壓（VGS）：** 20V（±）
- **閾值電壓（Vth）：** 3V
- **導通電阻（RDS(ON)）：** 245mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流（ID）：** 10A
- **工藝：** 溝槽工藝

### 應用領域和模塊舉例：

1. **電源模塊：** 由于其高漏極-源極電壓和低導通電阻，適用于開關電源和逆變器模塊中的開關控制。
2. **電動汽車充電樁：** 可用于電動汽車充電樁中的開關控制器，實現高效率的充電。
3. **工業控制系統：** 適用于工業控制系統中的開關控制，如變頻器和伺服驅動器。
4. **照明應用：** 可用于 LED 照明驅動器中的開關控制，提高照明系統的效率和可靠性。

以上僅為幾個示例，09N20H-VB 在其它領域和模塊中也可能有廣泛的應用。