09N50I-VB是一款TO220F封裝的單N溝道MOSFET。它具有650V的漏極-源極電壓（VDS），30V的柵極-源極電壓（VGS，±V），3.5V的閾值電壓（Vth），在VGS=10V時的導通電阻（RDS(ON)）為830mΩ，最大漏極電流（ID）為10A。該產品采用Plannar技術。
詳細參數說明如下：
- 產品型號：09N50I-VB
- 封裝：TO220F
- 極性：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：650V
- 柵極-源極電壓（VGS）：30（±V）
- 閾值電壓（Vth）：3.5V
- 導通電阻（RDS(ON)）：830mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：10A
- 技術：Plannar
該產品適用于以下領域和模塊：
1. 電源管理模塊：用于低功率開關電源、穩壓器等模塊。
2. 照明領域：用于LED照明驅動器等模塊。
3. 工業控制領域：用于控制和驅動各種工業設備和機械。
4. 家電領域：用于家電產品的開關控制，如空調、冰箱等。
以上是09N50I-VB MOSFET的簡介、詳細參數說明和適用領域和模塊的語段形式舉例。
