100N03A-VB是一款TO263封裝的單N溝道MOSFET。它具有30V的漏極-源極電壓（VDS），20V的柵極-源極電壓（VGS，±V），1.7V的閾值電壓（Vth），在VGS=4.5V時的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為2.7mΩ，在VGS=10V時的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為2.4mΩ，最大漏極電流（ID）為98A。該產(chǎn)品采用Trench技術(shù)。

詳細(xì)參數(shù)說明如下：
- 產(chǎn)品型號：100N03A-VB
- 封裝：TO263
- 極性：單N溝道
- 漏極-源極電壓（VDS）：30V
- 柵極-源極電壓（VGS）：20（±V）
- 閾值電壓（Vth）：1.7V
- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：2.7mΩ @ VGS=4.5V；2.4mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：98A
- 技術(shù)：Trench

該產(chǎn)品適用于以下領(lǐng)域和模塊：
1. 電源管理模塊：用于高功率的開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器等模塊。
2. 電動車輛領(lǐng)域：用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)、電機驅(qū)動器等模塊。
3. 工業(yè)控制領(lǐng)域：用于工業(yè)設(shè)備的功率開關(guān)控制，如變頻器、UPS等設(shè)備。
4. 太陽能逆變器領(lǐng)域：用于太陽能逆變器的DC-AC轉(zhuǎn)換控制。

以上是100N03A-VB MOSFET的簡介、詳細(xì)參數(shù)說明和適用領(lǐng)域和模塊的語段形式舉例。