### 產品簡介
100N03M-VB 是一款單路 N 溝道 MOSFET，采用了槽溝工藝（Trench Technology）。它具有30V 的漏極-源極電壓（VDS），20V 的門極-源極電壓（VGS，±V），1.7V 的門極閾值電壓（Vth）。在 VGS=4.5V 時，其導通電阻（RDS(ON)）為19mΩ，在 VGS=10V 時為13mΩ。該器件能夠提供最大30A 的漏極電流（ID），并采用 DFN8(3X3) 封裝。

### 詳細參數說明
- **型號**: 100N03M-VB
- **封裝**: DFN8(3X3)
- **結構**: 單路 N 溝道
- **VDS (漏極-源極電壓)**: 30V
- **VGS (門極-源極電壓)**: 20V（±V）
- **Vth (門極閾值電壓)**: 1.7V
- **RDS(ON) (導通電阻)**: 
 - 19mΩ @ VGS=4.5V
 - 13mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏極電流)**: 30A
- **工藝**: 槽溝工藝（Trench）

### 應用領域和模塊示例
1. **電源管理**: 100N03M-VB 可以用于電源管理模塊，如用作高效率的 DC-DC 變換器的開關器件。
2. **電動工具**: 在電動工具中，該器件可以用作電機控制器的開關器件，實現電動工具的高效能運行。
3. **LED 燈控制**: 在 LED 照明領域，100N03M-VB 可以用作 LED 燈的高效能開關，控制 LED 的亮度和通斷。

以上示例只是部分應用場景，實際上，該產品還適用于其他需要高電流、低導通電阻的領域和模塊中。