105N10LSF-VB是一款DFN8(5X6)封裝的單路N溝道MOSFET，具有100V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，±），以及2.5V的閾值電壓（Vth）。其在VGS=4.5V時的導通電阻RDS(ON)為12.36mΩ，在VGS=10V時為9mΩ，最大漏極電流ID為65A。采用槽溝技術（Trench）制造。

產(chǎn)品簡介：
105N10LSF-VB是一款高性能的單路N溝道MOSFET，具有較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，適用于要求中等功率和可靠性的應用場合。其DFN8(5X6)封裝設計使其適用于小尺寸應用，并具有良好的散熱性能，廣泛應用于各種領域和模塊中。

詳細參數(shù)說明：
- 封裝：DFN8(5X6)
- 結構：單路N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：100V
- VGS（柵極-源極電壓）：20V（±）
- 閾值電壓（Vth）：2.5V
- RDS(ON)（導通電阻）：12.36mΩ @ VGS=4.5V，9mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：65A
- 工藝技術：槽溝技術（Trench）

應用示例：
1. 電源模塊：用于中等功率電源管理模塊和DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關。
2. 電動工具：用于中等功率的電動工具的電機驅(qū)動。
3. 汽車電子：用于汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和電機控制。
4. 工業(yè)控制：用于工業(yè)自動化和機械設備控制中的功率開關。

這些示例表明，105N10LSF-VB適用于需要中等電壓和電流驅(qū)動的各種中功率應用領域和模塊，特別適合于小尺寸和高功率密度要求的應用場合。