10N10SC-VB是一款SOP8封裝的單路N溝道MOSFET，具有100V的漏極-源極電壓（VDS）、20V的柵極-源極電壓（VGS，±），以及1.8V的閾值電壓（Vth）。其在VGS=4.5V時的導通電阻RDS(ON)為27mΩ，在VGS=10V時為20mΩ，最大漏極電流ID為10.4A。采用槽溝技術（Trench）制造。

產品簡介：
10N10SC-VB是一款高性能的單路N溝道MOSFET，具有較高的漏極-源極電壓和適中的導通電阻，適用于要求中等功率和可靠性的應用場合。其SOP8封裝設計使其易于安裝和散熱，廣泛應用于各種領域和模塊中。

詳細參數說明：
- 封裝：SOP8
- 結構：單路N溝道
- VDS（漏極-源極電壓）：100V
- VGS（柵極-源極電壓）：20V（±）
- 閾值電壓（Vth）：1.8V
- RDS(ON)（導通電阻）：27mΩ @ VGS=4.5V，20mΩ @ VGS=10V
- 最大漏極電流（ID）：10.4A
- 工藝技術：槽溝技術（Trench）

應用示例：
1. 電源模塊：用于中等功率電源管理模塊和DC-DC轉換器中的功率開關。
2. 電源適配器：用于各種電子設備的電源適配器。
3. LED照明：用于LED照明系統中的電流控制和驅動。
4. 電動工具：用于中小型電動工具的電機驅動。

這些示例表明，10N10SC-VB適用于需要中等電壓和電流驅動的各種中功率應用領域和模塊，特別適合于小尺寸和高功率密度要求的應用場合。