VBsemi的MOSFET產品10N60W-VB是一款單N溝道MOSFET，采用TO3P封裝。它的主要技術特點包括可靠的600V漏極-源極電壓（VDS），以及30V的門極-源極電壓（VGS，±V），門極閾值電壓（Vth）為3.5V。在VGS=10V時，其導通電阻（RDS(ON)）為380mΩ，額定漏極電流（ID）為11A。該產品采用了SJ_Multi-EPI技術。
這款MOSFET適用于許多領域和模塊。舉例來說，在電源領域，它可以用于開關電源、逆變器和充電器等應用。在工業控制領域，它可以用于電機驅動器和自動化控制系統。在照明領域，它可以用于LED驅動器和照明控制。此外，在汽車電子中，它可以應用于電動汽車充電樁和車載電子系統。總的來說，10N60W-VB適用于需要高性能、高可靠性的功率開關和控制的各種領域和模塊。
