--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F封裝
- 溝道 N-Channel
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**10N62K3-VB MOSFET** 是一款單 N-溝道 MOSFET,封裝為 TO220F。它具有高達(dá)650V的漏極-源極電壓(VDS),并且在正負(fù)30V的柵極-源極電壓(VGS)下工作。這款 MOSFET 的閾值電壓(Vth)為3.5V,漏極-源極導(dǎo)通電阻(RDS(ON))為680mΩ(在VGS=10V時(shí)),漏極電流(ID)為12A。采用 Plannar 技術(shù)制造,適用于各種領(lǐng)域和模塊。
### 參數(shù)說明
- **封裝類型:** TO220F
- **器件類型:** 單 N-溝道
- **VDS(漏極-源極電壓):** 650V
- **VGS(柵極-源極電壓):** ±30V
- **Vth(閾值電壓):** 3.5V
- **RDS(ON)(漏極-源極導(dǎo)通電阻):** 680mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏極電流):** 12A
- **技術(shù):** Plannar

### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **工業(yè)自動(dòng)化:** 10N62K3-VB 可用于工業(yè)電源系統(tǒng)中的開關(guān)電源和逆變器模塊,實(shí)現(xiàn)高效率的電能轉(zhuǎn)換。
2. **電動(dòng)汽車充電樁:** 在電動(dòng)汽車充電樁中,這款 MOSFET 可以用作開關(guān)器件,控制充電樁的電能轉(zhuǎn)換和充電過程。
3. **太陽(yáng)能逆變器:** 由于其高漏極-源極電壓和低導(dǎo)通電阻,適用于太陽(yáng)能逆變器中的 DC-AC 轉(zhuǎn)換器模塊,提高能量轉(zhuǎn)換效率。
4. **電源管理:** 在各種電源管理模塊中,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和 AC-DC 變換器中,可用于提高電能轉(zhuǎn)換效率和穩(wěn)定性。
5. **電力傳輸:** 可以用于高壓直流輸電系統(tǒng)中的開關(guān)電源模塊,實(shí)現(xiàn)高效率的電能傳輸和分配。
以上是對(duì) 10N62K3-VB MOSFET 的產(chǎn)品簡(jiǎn)介、參數(shù)說明以及在各個(gè)領(lǐng)域和模塊中的應(yīng)用示例。
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