### 產品簡介
VBsemi的11N60C3-VB是一款單N溝道MOSFET，采用Plannar技術，具有高達650V的漏極-源極電壓（VDS）和30V的柵極-源極電壓（VGS）。該器件的漏極-源極導通電阻（RDS(ON)）在VGS=10V時為430mΩ，具有18A的漏極電流（ID）和3.5V的閾值電壓（Vth）。
### 參數說明
- **型號**: 11N60C3-VB
- **封裝**: TO220
- **結構**: 單N溝道
- **VDS（漏極-源極電壓）**: 650V
- **VGS（柵極-源極電壓）**: 30V（±）
- **Vth（閾值電壓）**: 3.5V
- **RDS(ON)（漏極-源極導通電阻）**:
- VGS=10V時：430mΩ
- **ID（漏極電流）**: 18A
- **技術**: Plannar
### 應用領域和模塊示例
1. **電源模塊**: 11N60C3-VB的高電壓和電流特性使其適用于電源模塊，如開關電源和穩壓器。
2. **工業控制**: 在工業控制系統中，該器件可用于功率開關和電流控制，例如在PLC（可編程邏輯控制器）和工業機器人中。
3. **電動汽車**: 由于其高電壓和電流容量，11N60C3-VB適用于電動汽車中的功率開關和電池管理系統。
4. **太陽能逆變器**: 在太陽能逆變器中，該器件可用作功率開關，實現太陽能電能的高效轉換和逆變控制。
5. **醫療設備**: 該MOSFET可用于醫療設備中的電源管理和控制，如醫用X射線機和超聲波設備。
以上示例僅說明了11N60C3-VB可能應用的部分領域和模塊，具體應用取決于設計要求和環境。
