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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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11N65C3-VB TO220F一款N-Channel溝道TO220F的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: 11N65C3-VB TO220F
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO220F封裝
  • 溝道 N-Channel

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 11N65C3-VB TO220F 產品簡介

**產品概述**:
11N65C3-VB 是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用Plannar技術制造,具有低導通電阻和高電壓承受能力。這款MOSFET封裝在TO220F中,適用于需要高效率和高可靠性的高壓電源管理應用。

**產品特點**:
- **高電壓承受能力**:VDS為650V,適用于高壓應用。
- **高柵極電壓**:VGS為±30V,提供更大的設計靈活性。
- **低閾值電壓**:Vth為3.5V,易于驅動。
- **低導通電阻**:RDS(ON)為320mΩ@VGS=10V,提高效率,降低功耗。
- **高電流能力**:ID為20A,適用于高電流應用。

### 11N65C3-VB TO220F 詳細參數說明

- **封裝**:TO220F
- **配置**:單N溝道
- **漏源極電壓(VDS)**:650V
- **柵源極電壓(VGS)**:±30V
- **閾值電壓(Vth)**:3.5V
- **導通電阻(RDS(ON))**:320mΩ@VGS=10V
- **連續漏極電流(ID)**:20A
- **技術**:Plannar

### 應用領域和模塊

**電動汽車**:
在電動汽車中,11N65C3-VB可用作電機驅動器中的功率開關元件。由于其高電壓承受能力和低導通電阻,可以有效減少功率損耗,提高整體系統的效率。

**工業電源**:
在工業電源系統中,該MOSFET可用于各種電源轉換器和電機驅動器。其高電壓承受能力和適中的電流能力,適用于各種工業環境下的電力控制應用。

**UPS系統**:
在UPS系統中,該MOSFET可用于電源開關和電池管理。其高電壓承受能力和低導通電阻,有助于提高UPS系統的效率和可靠性,確保電力供應的連續性。

**太陽能逆變器**:
在太陽能逆變器中,11N65C3-VB可用作開關元件,實現太陽能電能的轉換和傳輸。其高效率和高可靠性,有助于提高太陽能系統的整體性能。

**工業控制**:
在工業控制系統中,該MOSFET可用于各種電源轉換器和電機驅動器,以實現高效率和高可靠性的電力轉換和控制。

通過以上應用實例,可以看出11N65C3-VB MOSFET在各個領域和模塊中都有廣泛的應用前景,能夠滿足高性能和高可靠性需求。

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